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RGF1A-RGF1M
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RGF1A-RGF1M, Rev. G
RGF1A - RGF1M
Fast Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Glass passivated junction.
?
For surface mounted application.
?
Low forward voltage drop.
?
High current capability.
?
Easy pick and place.
?
High surge current capability.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VF
Forward Voltage @ 1.0 A
1.3 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
150 250 500 ns
IR
Reverse Current @ rated VR
TA = 25°C
5.0
μA
100
μA
TA = 125°C
Total Capacitance
8.5 pF
CT
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
Symbol
Parameter
Value
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current,
@ TL
= 125°C
1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 1.76 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 28
°C/W
Thermal Characteristics
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
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